现代模拟集成电路原理及应用
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作者： 王卫东 编著
出 版 社： 电子工业出版社
出版时间： 2008-4-1字数： 602000版次： 1页数： 361印刷时间： 2008/04/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787121062100包装： 平装内容简介
本书是为了适应面向21世纪现代模拟集成电路课程教学改革的需要而编写的，主要内容包括：通用MOS模拟集成电路，电流模式电路基础，模拟集成乘法器，电流传输器与电流反馈运算放大器，集成跨导运算放大器，有源波波器，开关电容电路，开关电流电路等。本书文字阐述详尽，公式简明易记，避免复发繁冗的数学推导，易教易学。
本书可作为高等院校电子信息类专业本科生、生教材，也可供相关专业领域的科技人员参考。
目录
第1章通用MOS模拟集成电路
1.1MOSFET的工作原理
1.1.1N沟道增强型MOSFET
1.1.2耗尽型N沟道MOSFET
1.1.3MOSFET小信号模型
1.2MOS模拟集成电路中的基本单元电路
1.2.1MOS恒流源电路
1.2.2MOS单级放大电路
1.2.3MOS差分放火电路
1.2.4MOS输出级电路
1.3CMOS集成运算放大器
1.3.1简单的CMOS集成运算放大器
1.3.2CMOS集成运算放火器
1.4CMOS集成电压比较器
1.4.1 电压比较器的基本概念
1.4.2差分输入单片集成CMOS电压比较器
1.4.3高精度自稳零CMOS集成电压比较器
1.5MOS集成模拟开关电路
1.5.1MOSFET的开关特性
1.5.2单片集成CMOS模拟开关电路
习题1
第2章 电流模式电路基础
2.1 电流模式电路的一般概念
2.1.1概述
2.1.2电流模式电路的特点
2.2跨导线性(T1)的基本概念
2.2.1跨导线性环路
2.2.2 由T1环路构成的电流模式电路
2.3电压模式与电流模式放大器闭环特性的比较
2.3.1放大器的概念及发展
2.3.24种集成运放的闭环特性
2.4电压模式电路与电流模式电路的互易
2.4.1互易网络与伴随网络
2.4.2伴随运算放大器
习题2
第3章集成模拟乘法器
3.1模拟乘法器的基本概念与特性
3.1.1乘法器的基本特性
3.1.2乘法器的丰要参数
3.2模拟乘法器的基本单元电路
3.2.1二象限变跨导模拟乘法器
3.2.2压控吉尔伯特乘法器核心单元电路
3.2.3流控吉尔伯特乘法器核心单元电路
3.3MOS型集成模拟乘法器
3.3.1NMOS集成乘法器
3.3.2CMOS集成乘法器
3.4单片集成模拟乘法器及其典型应用
3.4.1MC1596／MC1496及其应用
3.4.2BG314(MC1495／MC1595)及其应用
3.4.3第二代、第三代集成模拟乘法器
3.5集成模拟乘法器的部分应用电路
3.5.1集成模拟乘法器在运算电路中的应用
3.5.2集成模拟乘法器在信号处理方面的应用
习题3
第4章 电流传输器与电流反馈运算放大器
4.1 引言
4.2电流传输器端口特性
4.2.1第一代电流传输器(CCI)
4.2.2第二代电流传输器(CCII)
4.2.3改进的第二代电流传输器
4.3电流传输器的电路实现
4.3.1CC1的实现电路
4.3.2CCI1的实现电路
4.3.3全集成电流传输器
4.3.4CMOS集成差动式电流传输器(DVCCII)
4.4电流传输器的基本应用原理
4.4.1有源网络元件的模拟
4.4.2模拟信号运算电路
4.4.3正弦波振荡器
4.5电流反馈运算放大器
4.5.1CFA电路和模型
4.5.2电流反馈运放的闭环特性
4.5.3电流反馈运放特点综述和应用举例
习是4
第5章集成跨导运算放大器
第6章有源滤波器
第7章开关电容电路
第8章开关电流电路
第9章模拟集成电路设计软件使用简介
参考文献
书摘插图
第1章 通用MOS模拟集成电路
自20世纪80年代以来，大规模MOS集成电路发展十分迅速，使MOS集成电路在当代大规模集成电路中占据主流地位。本章首先简要讨论MOSFET的工作原理，对构成MOS模拟集成电路的基本单元电路做一些分析与介绍。在此基础上，讨论MOS集成运放、电压比较器、模拟开关等通用MOS模拟集成电路。
1．1MOSFET的工作原理
虽然结型场效应管(JFET)的输入电阻一般可达106～109Q，然而这个电阻从本质上来说是PN结的反向电阻，由于PN结在反向偏置时总会有一定的反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。与JFET不同， MOS场效应管的栅极处于不导电(绝缘)状态，它是利用半导体表面的电场效应进行工作的，也称为表面场效应器件，所以输入电阻可大大提高，最高可达10。
MOS场效应管是以二氧化硅为绝缘层的金属一氧化物一半导体(Metal一Oxide—Semiconductor)场效应管，简称为MOSFET。MOSFET的栅极与沟道之间由绝缘层隔离，输入电阻比JFET高得多。此外，MOSFET因集成工艺简单，集成密度很大，所以是现代超大规模集成电路的主角。
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