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常用新颖电子器件及其应用

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  分類: 图书,工业技术,电子 通信,电子元件、组件,

作者: 汪西川 编著

出 版 社: 上海大学出版社

出版时间: 2000-12-1字数: 204000版次: 1页数: 132印刷时间: 2000/12/01开本: 16开印次: 1纸张: 胶版纸I S B N : 9787810582476包装: 平装内容简介

本书汇集了在一般电子技术、电力电子技术、电子测量、自动控制和计算机应用等领域中广泛使用的较为典型的多种新颖电子器件。书中以较为精练的语言,简明扼要地论述了这些常用新颖电子器件的工作原理、主要特性、应用方法和应用实例等。具体包括四大类器件。第一类为一般器件,包括稳压二极管、恒流二极管、单结晶体管和隧道二极管。第二类为敏感器件,包括光敏器件、热敏器件、压敏器件和磁敏器件。第三类是功率器件,包括功率晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、功率场效应管(VMOS)和绝缘栅晶体管(IGBT)。第四类是编程器件,包括可编程逻辑器件(PLD)和可编程控制器(PLC)。这些都是应用很广、非常重要的器件。

本书内容集中、器件新颖、系统性较强、兼顾理论与实用,既可作为大专院校相关专业的教科书,也可作为相应领域的科技工作者或工程技术人员的参考书。

目录

第一编 一般器件

第一章 稳压二极管

§1-1 稳压二极管的原理和特性

一、工作原理

二、伏安特性

三、主要参数

§1-2 稳压二极管的应用

一、稳压电路

二、限幅电路

三、过压保护

四、电平转移

附表1-1 一些稳压二极管的主要参数

第二章 恒流二极管

§2-1 恒流二极管的原理和特性

一、工作原理

二、主要参数

三、可调恒流管

§2-2 恒流二极管的应用

一、恒流电路

二、稳压电路

三、波形变换

四、其他应用

附表2-1 一些恒流二极管的主要参数

第三章 单结晶体管

§3-1 单结晶体管的原理和特性

一、器件结构

二、工作原理及特性参数

三、程控单结晶体管原理及特性

§3-2 单结晶体管的应用

一、张弛振荡器

二、正弦振荡器和单稳态触发器

三、程控单结晶体管的应用

附表3-1 一些单结晶体管的主要参数

第四章 隧道二极管

§4-1 隧道二极管的原理和特性

一、伏安特性和主要参数

二、工作原理

三、反向二极管

§4-2 隧道二极管的应用

一、振荡电路

二、触发电路

三、放大电路

四、保护电路

附表4-1 一些隧道二极管的主要参数

第二编 敏感器件

第五章 光敏器件

§5-1 光敏器件及基础知识

一、基础知识

二、光敏器件

§5-2 光敏器件的应用

一、光敏电阻的应用

二、光敏二极管应用

三、光敏三极管应用

四、光电耦合器应用

附表5-1 一些光敏二极管的主要参数

附表5-2 一些光敏三极管的主要参数

附表5-3 几种光敏电阻的主要参数

附表5-4 几种三极管输出光电耦合器的主要参数

第六章 热敏器件

§6-1 热敏电阻的原理和特性

一、工作原理

二、主要特性

第七章 压敏器件

第八章 磁敏器件

第三编 功率器件

第九章 功率晶体管(GTR)

第十章 可关断晶闸管(GTO)

第十一章 功率场效应管(VMOS)

第十二章 绝缘栅晶体管(IGBT)

第四编 编程器件

第十三章 可编程逻辑器件(PLD)

第十三章 可编程控制器(PLC)

参考文献

书摘插图

第一章稳压二极管

§1-1稳压二极管的原理和特性

一、工作原理

稳压二极管由半导体PN结构成。大家知道,PN结具有单向导电性。即在PN结上加正向电压时,正向电流较大,且随正向电压的增加,正向电流迅速增大;当PN结加反向电压时,反向电流很小,且反向电压在一定范围内变化时,反向电流几乎不变。但当反向电压超过一定数值(反向击穿电压)时,反向电流便急剧增大,而且随着反向电流的急剧增加,PN结的反向电压值却增加很少,这种现象称为PN结的反向击穿。稳压二极管就是利用这种反向击穿的特性制成的。当然,对反向电流的增加不能没有限制,否则PN结将会迅速烧毁。PN结的击穿是由加在PN结耗尽层上的高电场所造成的。半导体的击穿电场一般约为200kV/cm左右。实际上存在着两种类型的击穿,即雪崩击穿和齐纳击穿。

当反向电压足够高(如大于6V)时,PN结中电场较强,使载流子加速。当其与中性原子相撞时,就可能产生新的电子空穴对。这些新的载流子又被加速,形成连锁反应,从而造成载流子的剧增。这种现象称为雪崩击穿,通常发生于PN结一侧是重掺杂的二极管中,且击穿电压反比于轻掺杂一侧的杂质浓度。对于掺杂浓度较高的半导体,其PN结耗尽层很薄,只要加不高的反向电压(如4V以下),耗尽层就可能获得106V/cm以上的电场强度,足以将价电子拉出原子,从而获得很多电子空穴对,使电流剧增。这种现象称为齐纳击穿。实验证明,雪崩击穿和齐纳击穿是同时存在的。稳压值较低的稳压管属于齐纳击穿,稳压值较高的主要是雪崩击穿。对于硅稳压二极管来说,分界约在4~7V,4V以下的属齐纳击穿,7V以上的属雪崩击穿,而4~7V之间的稳压管则两种击穿都存在。

……

 
 
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