硅基纳米光电子技术
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作者： 彭英才，赵新为，傅广生编著
出 版 社： 河北大学出版社
出版时间： 2009-4-1字数：版次： 1页数： 279印刷时间：开本： 大32开印次： 1纸张：I S B N ： 9787810974196包装： 平装内容简介
硅基纳米光电子技术是纳米半导体技术和半导体光电子技术领域中的一个新学科分支，旨在研究各种硅基纳米材料的制备方法、结构特性、光电性质、器件应用以及光电子集成等。作者结合自己的工作，对上述内容进行了介绍与评论。全书共分两部分：第一章至第六章主要介绍了硅基纳米薄膜、硅纳米线和硅基光子晶体等硅基纳米结构的制备方法与发光特性；第七章至第十章着重介绍了硅基光发射器件、硅基光波导器件和硅基光接收器件等硅基光电子器件的制作与集成。本书可供从事纳米半导体薄膜材料与纳米光电子器件研究的科技工作者参考，也可供高等院校电子科学与技术专业的教师、研究生和本科生阅读。
目录
绪论
参考文献
第一章Si基纳米材料的结构性质
1.1 Si基纳米材料的结构类型
1.1.1 镶嵌在Si0x膜层中的nc-Si
1.1.2 nc-Si／Si02超晶格
1.1.3 Si或Ge纳米量子点
1.1.4 Ge／Si量子点异质结
1.1.5 Ge／Si纳米量子线与量子环
1.1.6 超小结构尺寸的si纳米团簇
1.1.7 掺稀土元素Er的nc—Si：Er3十／Si02薄膜
1.2 半导体量子点的电子结构
1.2.1 箱形量子点
1.2.2 球形量子点
1.2.3 Ⅱ型量子点
1.3各种Si基纳米结构的电子性质
1.3.1 晶体Si的能带结构
1.3.2Si纳米晶粒
1.3.3超小尺寸Si纳米团簇
1.3.4Si02／Si薄层及其超晶格结构
1.3.5Ge／Si量子点及其多层异质结构
参考文献
第二章Si基纳米薄膜的制备方法
2.1等离子体化学气相沉积
2.1.1 高H2稀释SiH的PECVD生长
2.1.2nc—Si的PECVD生长与后退火处理
2.2低压化学气相沉积
2.2.1Si—OH终端Si02表面上Si纳米量子点生长
2.2.2LPCVD生长Si纳米量子点的沉积机理
2.3激光烧蚀沉积
2.3.1nc-Si膜的脉冲激光烧蚀沉积
2.3.2a—Si膜的脉冲激光退火晶化
2.4分子束外延与超高真空化学气相沉积
2.4.1基于S-K模式的量子点生长
2.4.2Ge／Si量子点的UHV-CVD生长
2.5SiOz层中的高剂量Si离子注入
2.6非晶Si02层的高能电子辐照
参考文献
第三章有序Si基纳米材料的自组织生长
3.1 晶粒有序Si基纳米材料的结构特点
3.2有序Si基纳米发光材料的自组织化生长
3.2.1通过控制纳米结构成核位置的生长
……
第四章Si纳米线的光电特性与制备方法
第五章Si基光子晶体的制备技术
第六章Si基纳米薄膜材料的发光特性
第七章Si基光发射器件
参考文献
书摘插图
第一章Si基纳米材料的结构性质
Si基纳米材料一般是指结构尺寸至少在一个维度上为几个纳米的Si纳米量子点、Si纳米团簇，镶嵌在Si0x（x
1.1 Si基纳米材料的结构类型
按照对载流子的量子限制作用，Si基纳米材料可分为具有一维量子限制的nc—Si／Si0x超晶格，具有二维量子限制的Ge／Si量子线，具有三维量子限制的Si或Ge纳米晶粒，Si纳米量子点（Si—QD）以及Ge／Si量子点异质结等。
……
