几个问题帮我解决一下
2—1 晶间管导通的条件是什么?怎样使晶闸管由导通变为关断?
2－6 试分析 四种自关断器件IGBT、GTR、GTO和Power MOSFET各自的优缺点。
帮我解决一下西安交大王兆安出版的电力电子的第2章的习题，谢谢。还有此书有没有辅导书或答案，有没有它的电子教案下载？
我们老师教的不好，听说电力电子是新技术，还不到60年，好象有发展前途，你们认为呢？它是控制、强电、弱电，三方的综合，为什么属于强电的基础课？我是学强电的，本来弱电学的就不好，这个我也听不懂了，我们老师也不是学这个专业出生的却教我们这个，有没有比较容易自学的教材？
參考答案:晶间管导通条件：门极有触发信号（脉冲），并且加正向电压，就可以导通。
GTO：承受电流最大，电压，电流以超过6KV,6KA.但其关断功率增益高（被关断的阳极电压电流乘积）。允许工作电压仅小于晶间管。大于其它三种全控器件。
IGBT:要求有正的，持续的门极触发电压，保持其导通，同样要求有负的，持续的门极电压保持其关断，触发功率稍大。工作频率小于MOSFET而大于GTO
GTR好像和GTO差不多，记不清了。
MOSFET比工作频率在几种器件中最高，但承受电压是几种中最低的。
强电的触发电路就是弱电电路，他们不是完全分开的。
教材我用过的有《电力电子变流技术》（第3版）黄俊，王兆安主编，机械工业出版社。（需要有点数学基础）
或者
或者
用“电力电子技术 下载”搜索一下网上很多的。
