凹沟MOSFET(Recessed-channel MOSFET ):
凹沟MOSFET的结构见图示,这种结构的MOSFET就是把栅极设置在刻蚀出来的凹沟里。
这种MOSFET的优点在于使等效的源和漏的结深减小,短沟道效应得以减弱。
这种结构的缺点在于:对阈值电压的控制比较困难(因为阈值电压主要决定于A和B点处的形状和层的厚度),而且热电子注入到SiO2中的可能性增加了(热电子效应导致的失效率增大)。
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凹沟MOSFET(Recessed-channel MOSFET ):
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这种MOSFET的优点在于使等效的源和漏的结深减小,短沟道效应得以减弱。
这种结构的缺点在于:对阈值电压的控制比较困难(因为阈值电压主要决定于A和B点处的形状和层的厚度),而且热电子注入到SiO2中的可能性增加了(热电子效应导致的失效率增大)。