范希武，男，1936年7月生于浙江省南浔镇，1957年毕业于上海市复旦大学物理系，毕业后相继在中科院物理所，长春物理所和长春光机与物理所从事发光学和半导体光电子学的研究工作。曾去英国Durham大学任高级访问学者二年。现任研究员，博士生导师和中科院激发态物理重点实验室学术委员会副主任等职，兼任中国物理学会发光分会主任和《发光学报》主编等职。曾任中科院长春物理所学位委员会主任、学术委员会常务副主任、集成光电子国家联合重点实验室学术委员会副主任和中国科学院激发态物理重点实验室主任等职。曾兼任国家自然科学基金委员会信息科学部共五届专家评审组成员及副组长等职。曾任1987年召开的第8届国际发光学学术会议地区组织委员会秘书长，和2005年召开的第14届国际发光学学术会议地区组织委员会主席。
范希武长期从事宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子学和发光学的研究，是我国在该研究领域的创始人和主要学术带头人。他在学术上的主要贡献为：第一，系统地研究了在电场激发下宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体中自由激子的发射，明确提出并实现了利用宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体直接带跃迁来获得本征发射的物理思想；第二，创造性地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格的光双稳，率先提出利用宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的室温激子效应来实现室温、可见光短波段和快速响应的激子型光双稳开关器件的物理思想，并在实验上取得了预期的效果；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供了物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，研究了CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，研究了高质量ZnO薄膜的多种生长方法及其紫外发射特性。上述研究成果经审定达到国际先进水平，部分结果达到国际领先水平。
范希武共发表学术论文和专著共400多篇，其中国际学术会议邀请报告10次，国际学术期刊150多篇，国内学术会议邀请报告22次，他发表的学术论文被SCI他人引用达170多次。范希武共取得科技成果奖18项，其中包括中国科学院自然科学奖一等奖和三等奖各1项，省科技进步奖一等奖1项，及全国科学大会奖1项等。范希武历年来主持的科研项目共20多项，其中有国家863高技术计划项目，国家攀登计划项目和国家自然科学重大基金项目所属课题，国家自然科学基金项目，中科院重点科研项目，以及国际和地区合作科研项目等。范希武共培养了硕士生16名，博士生19名，博士后1名，并有7人次分获中科院院长研究生奖学金，他本人于1990年以来五次荣获中科院优秀研究生导师奖。他于1991年获国务院颁发的政府特殊津贴奖，于1993年获吉林省英才奖章，获省委和省政府颁发的政府特殊津贴奖，于1998年和2002年分别获得省委和省政府颁发的吉林省首批和第二批省级优秀专家等各种奖励。
经过多年的努力和积累，范希武已在国内建立起一个可供开展国际前沿研究课题的先进实验室，已培养出一支能在国际前沿研究领域进行攻坚的青年骨干队伍，从而将该领域的科研工作从无到有，逐步推向国际前沿，使我国该领域的研究工作在国际上占有重要地位。
