简历：女，本科毕业于山东大学光学系。1995 年在中国科学院物理所获理学博士学位，师从杨国桢院士、潘少华研究员。其间荣获中科院院长奖学金特等奖。1995年留所工作。研究论文曾获《饶毓泰基础光学》一等奖。1997-1999年，美国橡树岭国家实验室和田纳西大学博士后，合作导师美国科学院院士G. D. Mahan 教授。后回所工作。2001－2003年在瑞典LUND大学作博士后。2003年4月回所工作。先后出访韩国工业大学、瑞典Lund大学、香港科技大学、日本东京大学、澳大利亚Wollongong大学、香港大学等并建立相关学术合作关系。现担任L03课题组组长，中科院光物理重点实验室学术秘书。获国家科技进步三等奖1项，中科院科技进步一等奖1项，北京市科技进步一等奖1项。
主要研究方向：低维体系中量子效应，界面效应等在电子自旋输运，光子辐射等物理过程中的重要作用。
过去的主要工作及获得的成果：
1）将Fano共振机制推广到半导体体系中。既将Fano共振理论推广到半导体薄膜，量子阱，超晶格里的光吸收，Raman散射，以及光电导过程中，建立了新理论框架，预言了该体系Fano效应的存在，并被实验完全证实。
2）阐明了量子限制效应在低维生长中关键作用。从电子能量的角度研究了表面异质成型机制，建立了表面成型稳定性倚赖于尺寸效应的理论；引入量子限制效应，对金属引发的硅表面条状再构现象给出一个全新的物理解释。
3）澄清了Bloch震荡导致太赫兹辐射的争议。对多多年来存在争议的电场下半导体超晶格体系Bloch震荡导致的太赫兹辐射机制给出与实验完全符合的理论证实。
4）揭示了氧化物p－n异质结正巨磁电阻机制根源。针对最新实验中发现的氧化物异质结中的奇异正磁电阻特性，建立了理论模型， 提出了系统中界面区域自旋极化电子的能态分布的不同乃是正的巨磁电阻产生的根源， 初步解释了实验中正磁电阻随电压，温度，组分变化规律。
以上工作发表SCI收录论文50余篇，其中约有半数发表在Phys. Rev. Lett.，Phys. Rev. B，和Appl. Phys. Lett. 刊物上。
目前的研究课题及展望：
国家重大基础研究计划（973）课题负责人，国家基金委面上项目负责人和创新群体项目的主要参加者。
1）氧化物低维体系自旋极化输运机制研究。
2）氧化物体系光电效应机制研究。
3）超晶格中太赫兹（Thz）辐射研究。
4）量子阱中发光制冷机制研究。
