第1页：三星完成DDR4内存模块研发
三星电子公司宣布在上个月，已经完成了业界第一个DDR4内存模块的研发工作，并且使用30nm制程技术完成制作出样品。新DDR4内存模块可以在电压只有1.2伏特的情况下，达到2133MHz的运行速率，而且借助新的回路架构，DDR4可以上超3200MHz，三星说最终能达到4G。相较于DDR3，从低电压版的1.35V到正常电压的1.5V，在节能方面可以节省40%！
三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。
三星继成功研发出DDR、DDR2、DDR3内存后，现在又抢先推出DDR4，虽然DDR4的标准规格仍未定案，但是三星已经和多家内存厂商连手，帮助JEDEC固态技术协会“制订”DDR4的标准规格。JEDEC预计在2011年完成DDR4内存规范的制定工作，2012年开始商用，超过DDR3而成为主流规格则可能要等到2015年。
内存或许并不是很多玩家特别关心的内容。和显卡、主板等差异化较大的市场相比，内存市场由于有着强大的JDEDC把持，并且产品本身形态较为单一，因此各家产品性能和设计差距都不太大，同质化现象较严重。不过，同质化并不意味着发展速度慢，相反，也正是由于有了统一的JEDEC规范，内存一直按部就班地发展着。DDR4内存的消息最早出现在2007年，JEDEC展示了它们对未来DDR4内存发展的一些思考。在当时的新闻中，实验性的内容相当多，因此对最后内存规格的影响并不太大。如今，三年时间过去，DDR4内存再次浮出水面。这次我们看到了很多详细的内容说明，包括DDR4内存总线的变化以及频率、电压、工艺等相关问题。
从DDR3的多点总线到DDR4的点对点技术
根据多位半导体业界相关人员的介绍， DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号( 传统SE信号)的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于DifferentialSignaling( 差分信号技术 )技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。感觉似乎又要回到当年DDR内存与RAMBUS内存分庭抗礼的情形了。
金邦曾透漏：承袭以往内存产品的发展走向，DDR4内存不外乎朝着高容量、高频、低功耗发展。它的规格可能在DDR4 2133～DDR4 4266，工作电压也将下降至1.0V～1.2V左右。这意味着DDR4内存在如此高频率、低电压的条件下运行，将需有更好的外部硬件设备来配合，否则容易造成内存数据遗失现象，以及消费者常遇到的兼容性问题。
依据目前JEDEC公布的数据看来，DDR4内存的每个内存信道只会支持一条内存模块，内存控制器将采用点对点技术，将取代目前DDR3内存采用的多点总线技术。如此一来，系统内存条的数量和容量都将受限制。因此在考虑如何增加系统内存数量与容量方面，将是DDR4内存后续生产在技术和成本方面需要重点考虑的地方。
早在日本东京举行的MemCon 2010大会上，US Modular公司工程副总裁、JEDEC董事会成员Bill Gervasi介绍说，DDR4内存的有效运行频率初步设定在2133-4266MHz之间，运行电压则会进一步降低至1.2V、1.1V，甚至还可能会有1.05V的超低压节能版，生产工艺预计首批采用36nm或者32nm。
内存频率规格路线图
内存电压规格路线图
