半导体制造技术(国外电子与通信教材系列)(Semiconductor Manufacturing Technology)
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品牌: Michael Quirk Julian Serda
基本信息·出版社：电子工业出版社
·页码：600 页
·出版日期：2004年
·ISBN：7505394932
·条形码：9787505394933
·包装版本：1版
·装帧：平装
·开本：32
·正文语种：中文
·丛书名：国外电子与通信教材系列
·外文书名：Semiconductor Manufacturing Technology
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内容简介《半导体制造技术》在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的最全面、最先进的教材。全书共分20章，章节根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排，内容包括：与半导体制作相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具本讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
作者简介韩郑生，译有《半导体制造技术》等。
媒体推荐书评
本书追述了半导体集成电路的发展历史，详细描述了集成电路制造的全过程，即硅片制备、硅片制造、硅片测试/拣选、装配和封装以及终测。具有大量精美的图片、图表及具体详实的数据。对立志从事微电子技术工作，而又未能实际体验集成电路制造过程的人来说，它无疑是一位良师益友。即使是正在从事集成电路制造的工程技术人员，也一定会认为它是非常具有价值的参考书。
编辑推荐《半导体制造技术》适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
目录
第1章 半导体产业介绍
目标
1.1 引言
1.2 产业的发展
1.3 电路集成
1.4 集成电路制造
1.5 半导体趋势
1.6 电子时代
1.7 在半导体制造业中的职业
1.8 小结
第2章 半导体材料特性
目标
2.1 引言
2.2 原子结构
2.3 周期表
2.4 材料分类
2.5 硅
2.6 可选择的半导体材料
2.7 小结
第3章 器件技术
目标
3.1 引言
3.2 电路类型
3.3 无源元件结构
3.4 有源元件结构
3.5 CMOS器件的闩锁效应
3.6 集成电路产品
3.7 小结
第4章 硅和硅片制备
目标
4.1 引言
4.2 半导体级硅
4.3 晶体结构
4.4 晶向
4.5 单晶硅生长
4.6 硅中的晶体缺陷
4.7 硅片制备
4.8 质量测量
4.9 外延层
4.10 小结
第5章 半导体制造中的化学品
目标
5.1 引言
5.2 物质形态
5.3 材料的属性
5.4 工艺用化学品
5.5 小结
第6章 硅片制造中的沾污控制
目标
6.1 引言
6.2 沾污的类型
6.3 沾污的源与控制
6.4 硅片湿法清洗
6.5 小结
第7章 测量学和缺陷检查
目标
7.1 引言
7.2 集成电路测量学
7.3 质量测量
7.4 分析设备
7.5 小结
第8章 工艺腔内的气体控制
目标
8.1 引言
8.2 真空
8.3 真空泵
8.4 工艺腔内的气流
8.5 残气分析器
8.6 等离子体
8.7 工艺腔的沾污
8.8 小结
第9章 集成电路制造工艺概况
目标
9.1 引言
9.2 CMOS工艺流程
9.3 CMOS制作步骤
9.4 小结
第10章 氧化
目标
10.1 引言
10.2 氧化膜
10.3 热氧化生长
10.4 高温炉设备
10.5 卧式与立式炉
10.6 氧化工艺
10.7 质量测量
10.8 氧化检查及故障排除
10.9 小结
第11章 淀积
目标
11.1 引言
11.2 膜淀积
11.3 化学气相淀积
11.4 CVD淀积系统
11.5 介质及其性能
11.6 旋涂绝缘介质
11.7 外延
11.8 CVD质量测量
11.9 CVD检查及故障排除
11.10 小结
第12章 金属化
目标
12.1 引言
12.2 金属类型
12.3 金属淀积系统
12.4 金属化方案
12.5 金属化质量测量
12.6 金属化检查及故障排除
12.7 小结
第13章 光刻：气相成底膜到软烘
目标
13.1 引言
13.2 光刻工艺
13.3 光刻工艺的8个基本步骤
13.4 气相成底膜处理
13.5 旋转涂胶
13.6 软烘
13.7 光刻胶质量测量
13.8 光刻胶检查及故障排除
13.9 小结
第14章 光刻：对准和曝光
目标
14.1 引言
14.2 光学光刻
14.3 光刻设备
14.4 混合和匹配
14.5 对准和曝光质量测量
14.6 对准和曝光检查及故障排除
14.7 小结
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术
目标
15.1 引言
15.2 曝光后烘焙
15.3 显影
15.4 坚膜
15.5 显影检查
15.6 先进的光刻技术
15.7 显影质量测量
15.8 显影检查及故障排除
15.9 小结
第16章 刻蚀
目标
16.1 引言
16.2 刻蚀参数
16.3 干法刻蚀
16.4 等离子体刻蚀反应器
16.5 干法刻蚀的应用
16.6 湿法腐蚀
16.7 刻蚀技术的发展历程
16.8 去除光刻胶
16.9 刻蚀检查
16.10 刻蚀质量测量
16.11 干法刻蚀检查及故障排除
16.12 小结
第17章 离子注入
目标
17.1 引言
17.2 扩散
17.3 离子注入
17.4 离子注入机
17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势
17.6 离子注入质量测量
17.7 离子注入检查及故障排除
17.8 小结
第18章 化学机械平坦化
目标
18.1 引言
18.2 传统的平坦化技术
18.3 化学机械平坦化
18.4 CMP应用
18.5 CMP质量测量
18.6 CMP检查及故障排除
18.7 小结
第19章 硅片测试
目标
19.1 引言
19.2 硅片测试
19.3 测试质量测量
19.4 测试检查及故障排除
19.5 小结
第20章 装配与封装
目标
20.1 引言
20.2 传统装配
20.3 传统封装
20.4 先进的装配与封装
20.5 封装与装配质量测量
20.6 集成电路封装检查及故障排除
20.7 小结
附录A 化学品及安全性
附录B 净化间的沾污控制
附录C 单位
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色
附录E 光刻胶化学的概要
附录F 刻蚀化学
术语表
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