光电子器件
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作者： 汪贵华 编著
出 版 社： 国防工业出版社
出版时间： 2009-1-1字数： 454000版次： 1页数： 284印刷时间： 2009/01/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787118060355包装： 平装内容简介
本书着重讲授光电子探测与成像器件的基础理论和基本知识。主要内容有：半导体光电探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD和CMOS成像器件、致冷和非致冷红外成像器件、紫外成像器件、x射线成像器件。
本书适合电子科学与技术、光电子技术、物理电子学等专业本科生作为教材使用，也可供相近专业的研究生阅读，同时可供从事光电子器件研究和从事光电子技术的技术人员参考。
目录
第1章 光电导探测器
1.1 光电子器件的基本特性
1.1.1 光谱响应率和响应率
1.1.2 最小可探测辐射功率和探测率
1.1.3 光吸收系数
1.2 光电导探测器原理
1.2.1 光电导效应
1.2.2 光电导电流
1.2.3 光电导增益
1.2.4 光电导灵敏度
1.2.5 光电导惰性和响应时间
1.2.6 光电导的光谱响应特性
1.2.7 电压响应率
1.2.8 探测率D
1.3 光敏电阻
1.3.1 光敏电阻的结构
1.3.2 光敏电阻的特性
第2章 结型光电探测器
2.1 光生伏特效应
2.1.1 PN结
2.1.2 PN结光生伏特效应
2.2 光电池
2.2.1 光电池的结构
2.2.2 光电池的电流与电压
2.2.3 光电池的主要特性
2.3 光电二极管
2.3.1 PN结型光电二极管
2.3.2 PIN型光电二极管
2.3.3 雪崩型光电二极管（APD）
2.4 光电三极管
2.4.1 光电三极管结构和工作原理
2.4.2 光电三极管的主要性能参数
第3章 光电阴极与光电倍增管
3.1 光电发射过程
3.1.1 外光电效应
3.1.2 金属的光谱响应
3.1.3 半导体光电发射过程
3.1.4 实用光电阴极
3.2 负电子亲和势光电阴极
3.2.1 负电子亲和势光电阴极的原理
3.2.2 NEA光电阴极中的电子传输过程
3.2.3 NEA阴极的量子产额
3.2.4 负电子亲和势阴极的工艺及结构
3.3 真空光电管
3.3.1 真空光电管工作原理
3.3.2 真空光电管的主要特性
3.4 光电倍增管
3.4.1 光电倍增管结构和工作原理
3.4.2 光电倍增管主要特性和参数
3.4.3 光电倍增管的供电电路
第4章 微光像增强器
第5章 摄像管
第6章 CCD和COMS成像器件
第7章 致冷型红外成像器件
第8章 微测辐射计红外成像器件
第9章 热释电探测器和成像器件
第10章 紫外探测与成像器件
第11章 X射线探测与成像器件
参考文献
